Система накачки инфракрасным излучением для источника непрерывного терагерцового излучения с программным управлением

Научная библиотека Комментариев к записи Система накачки инфракрасным излучением для источника непрерывного терагерцового излучения с программным управлением нет

А.В. Веденеев, Н.В. Ионина, В.В. Орлов, А.С. Рохмин, Е.А.Седых, М.К. Ходзицкий, С.А. Козлов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, 2012, № 4 (80), с: 23-28, УДК 53.084.85

Создана система накачки инфракрасным излучением для фотопроводящей антенны – источника непрерывного терагерцового излучения, на основе смешения частот излучения двух полупроводниковых лазеров полуторамикронного диапазона. Данная система позволяет расширить рабочий диапазон перестройки терагерцовых спектрометров до 18 ТГц с шагом 0,125 ГГц. Дополнительно было разработано оригинальное программное обеспечение, позволяющее использовать систему накачки антенны в качестве прецизионного инфракрасного спектрометра в диапазоне длин волн 1450–1590 нм.

В настоящей работе представлена система накачки инфракрасным (ИК) излучением для фотопроводящей антенны – источника непрерывного ТГц излучения, на основе смешения частот излучения двух полупроводниковых лазеров полуторамикронного диапазона, позволяющая расширить потенциальный диапазон перестройки частоты ТГц излучения до 18 ТГц и обеспечивающая шаг перестройки до 0,125 ГГц. Реальный диапазон перестройки будет ограничиваться резонансным контуром используемой фотопроводящей антенны. Для выпускаемых в настоящее время фотопроводящих антенн этот диапазон 0,1–5 ТГц.

Оптическая схема лабораторного макета
Одним из наиболее часто используемых в последнее время способов генерации непрерывного излучения ТГц диапазона частот является облучение фотопроводящей антенны, на которую подано напряжение смещения, двумя источниками видимого или ИК-диапазона с близкими длинами волн. При сложении полей таких источников на фотопроводящей антенне появляется составляющая фототока с частотой, соответствующей разности этих длин волн, и находящаяся уже в ТГц частотном диапазоне. При этом необходимо решить задачи эффективной фокусировки излучения в плоскости фотопроводящей антенны в пятно диаметром 5–10 мкм, обеспечив плотность мощности до десятков кВт/см2 и перестройки длины волны лазеров в требуемом диапазоне. В нашей работе для реализации системы накачки ТГц источника излучения применены перестраиваемые в широком диапазоне частот полупроводниковые лазеры Фабри–Перо с полуторамикронными диапазонами для обеспечения полосы разностных частот до 18 ТГц, а также возможности использования существующих развитых технологий оптоволоконной связи. Для фокусировки излучения использовались также стандартные промышленные оптические элементы (микрообъективы, линзы). Фотография и схема системы накачки для ТГц источника излучения приведены соответственно на рис. 1 и рис. 2.

Излучение с волоконно-оптических выходов полупроводниковых ИК-лазеров 1, 2 с помощью волоконно-оптического разветвителя 3 подается на вход фокусирующей системы 6. Для юстировки в один из входных каналов волоконного разветвителя подается видимое излучения He-Ne лазера 5, с помощью которого юстируется фокусирующая система 6, располагающаяся на определенном расстоянии на выходе волоконного разветвителя. В качестве альтернативных рассматривались варианты фокусировки ИК-излучения одиночной линзы с фокусным расстоянием 10 мм, микрообъективом «ПЛАН 9×10». Для этих вариантов определялась плотность мощности излучения в перетяжке формируемого пучка, диаметр перетяжки, а также коэффициент пропускания фокусирующей системы.

Полное содержание статьи: http://ntv.ifmo.ru/file/article/2277.pdf

Рекомендуем для Вас

Leave a comment

You must be logged in to post a comment.


© Интернет журнал "ЛАЗЕРНЫЙ МИР", 2019
Напишите нам:
laser.w@yandex.ru

Back to Top