Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H6 – 3F4
Научная библиотека 13.04.2017 Комментариев к записи Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H6 – 3F4 нетЮ. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков // Квантовая электроника, 46:3 (2016)
Разработана технология роста, и методом Чохральского выращен лазерный кристалл Tm:Ho:Yb3Al5O12 высокого оптического качества. Исследованы его спектрально-люминесцентные характеристики. Реализована лазерная генерация на длине волны 2100 нм при лазерной накачке в линию поглощения на переходе 3H6 – 3F4 иона Tm3+ с длиной волны 1678 нм. Дифференциальный и общий (оптический) КПД лазера достигали 41% и 30% соответственно при выходной мощности излучения до 320 мВт.
Полное содержание статьи: http://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=qe&paperid=16345&option_lang=rus
Leave a comment
You must be logged in to post a comment.