Главная / Научная библиотека / Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H6 – 3F4

Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H6 – 3F4

Научная библиотека 13.04.2017 , by Комментариев к записи Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H6 – 3F4 нет

Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков // Квантовая электроника, 46:3 (2016)

Разработана технология роста, и методом Чохральского выращен лазерный кристалл Tm:Ho:Yb3Al5O12 высокого оптического качества. Исследованы его спектрально-люминесцентные характеристики. Реализована лазерная генерация на длине волны 2100 нм при лазерной накачке в линию поглощения на переходе 3H6 – 3F4 иона Tm3+ с длиной волны 1678 нм. Дифференциальный и общий (оптический) КПД лазера достигали 41% и 30% соответственно при выходной мощности излучения до 320 мВт.

Полное содержание статьи: http://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=qe&paperid=16345&option_lang=rus

Рекомендуем для Вас

Leave a comment

You must be logged in to post a comment.

Актуально

Рубрики

Тема недели


© Интернет журнал "ЛАЗЕРНЫЙ МИР", 2019
Напишите нам:
laser.rf.mail@yandex.ru

Back to Top