Лазерный мир

Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН, Новосибирск) и Института прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН (ИПФ РАН, Нижний Новгород) предложили новую концепцию получения яркого стабильного источника экстремального вакуумного ультрафиолетового излучения (ВУФ-излучения), используемого в фотолитографах для создания микросхем нового поколения, сообщает пресс-служба ИЯФ СО РАН.
 
 «В отличие от используемой сейчас технологии, когда для создания ВУФ-излучения используется лазерная импульсная плазма из капель олова, российские специалисты работают с лазерной плазмой из газа атмосферного давления — ксенона», — говорится в сообщении.
 
 На данный момент физики получили квазистационарную сферическую плазму, которая по диаметру, температуре и плотности отвечает начальным требованиям.
 
 Специалисты также отмечают, что процесс с использованием ксенона не приводит к загрязнению зеркал литографа, как при работе с плазмой олова, а также лучше подходит для современных зеркал на длину волны 11,2 нанометра.
 
 Эксперименты проводятся на Новосибирском лазере на свободных электронах (НЛСЭ) — уникальной исследовательской установке ИЯФ СО РАН, единственной в мире, на которой можно создавать стабильный и непрерывный терагерцевый лазерный разряд.
 
 Запланированы работы по увеличению температуры плазмы, и если концепция будет успешно продемонстрирована с помощью НЛСЭ, то отработанную технологию можно будет реализовать в более компактных установках, на основе разрабатываемых сейчас терагерцевых гиротронов (электровакуумных источников сверхвысокочастотного излучения) ИПФ РАН.
 
 В производстве микроэлектроники широко используется метод фотолитографии, позволяющий формировать на кремниевой поверхности микрочипов структуры, размеры которых достигли нескольких нанометров, для развития микроэлектроники актуальной является задача создания источников экстремального ВУФ-излучения, поскольку только они работают на необходимой длине волны, порядка 10-30 нанометров.
 
 В настоящее время монополистом по производству литографического оборудования для микроэлектронной промышленности является компания ASML (Нидерланды).
 
 НЛСЭ — это масштабная установка, построенная на базе специального ускорителя в ИЯФ, он превосходит все другие источники лазерного излучения в мире в диапазоне длин волн 40-80 и 110-240 микрон. В отличие от обычных лазеров ЛСЭ могут менять длину волны и подстраиваться под резонансные частоты.
 
 Спектр частот терагерцевого излучения расположен между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонами, проникает через многие материалы, кроме металлов. В отличие от рентгеновского излучения не является ионизирующим.
 
 Читайте полностью: https://www.interfax-russia.ru/academia/news/rossiyskie-fiziki-razrabatyvayut-novyy-tip-istochnika-ultrafioleta-dlya-proizvodstva-mikroshem