Микроэлектроника: Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна
Лазеры в науке 18.03.2026 Комментарии к записи Микроэлектроника: Потери света в фотонных чипах приближены к показателям оптоволокна отключеныИсследователи Калифорнийского технологического института (Caltech) разработали технологию фотонных чипов с низкими потерями при передаче света в диапазоне от видимого спектра до телекоммуникационных длин волн. Работа опубликована в журнале Nature.
Ключевой показатель — потери света в новом фотонном чипе составляют менее 0,1 дБ/м в широком диапазоне длин волн: от 458 нм (синий спектр) до 1550 нм (телекоммуникационный диапазон). Этот результат сопоставим с показателями стандартного телекоммуникационного оптоволокна. В кольцевых резонаторах, изготовленных по новой технологии, достигнута оптическая добротность более 180 млн на всех измеренных длинах волн.

Как этого добились
Достижение стало возможным благодаря применению CMOS-совместимого процесса производства на основе германосиликата (легированного германием кварцевого стекла) того же материала, который используется для сердцевины оптоволоконных кабелей.
Ученые адаптировали стандартный литографический процесс для формирования наноразмерных волноводов на поверхности 8- и 12-дюймовых кремниевых пластин. Волноводы выполнены в форме спиралей, что позволяет свету проходить большой оптический путь на малой площади кристалла.
Благодаря сравнительно низкой температуре плавления германосиликата, исследователи применяют процесс «reflow» (оплавление) в печи, за счет чего поверхность волноводов сглаживается до неровностей атомарного уровня. Это подавляет рассеяние, характерное для «традиционных» схем кремниевой фотоники.
Основные преимущества
Технология совместима с действующими CMOS-линиями и не требует высокотемпературного отжига (как нитрид кремния, которому для отжига требуются температуры >1000°C), что позволяет интегрировать фотонные схемы и традиционную микроэлектронику (back-end-of-line).
Работа в диапазоне от синего до телекоммуникационных длин волн расширяет возможности применения, включая атомные операции для оптических часов и сенсоров.
На видимых длинах волн новая платформа превосходит нитрид кремния в 20 раз, заявляют ученые.
Не только теория
Исследователи создали несколько рабочих устройств на новой платформе:
Устройство размером в несколько миллиметров преобразует недорогие многомодовые диодные лазеры в узкополосные лазеры с шириной линии 10 Гц. Достигнуто более чем 100-кратное (20 dB) увеличение когерентности по сравнению с предыдущими результатами в синем, зеленом и красном диапазонах. Также созданы дисперсионно-инженерные солитонные микрогребенки и лазеры Бриллюэна, усиленные одновременным оптическим и акустическим ограничением.
Что еще обещает сделать возможным новая технология
- Создание компактных фотонных квантовых компьютеров и квантовых сетей
- Снижение энергопотребления серверной инфраструктуры
- Создание улученных систем биомедицинской визуализации, использующих видимый свет
- Создание легких дисплеев дополненной реальности с высоким разрешением
- Создание портативных систем точного времени и навигации, не требующих GPS
Исследователи продолжают совершенствовать технологию, планируя дальнейшее снижение потерь и интеграцию активных компонентов (лазеров, усилителей, электрооптических устройств) непосредственно на чип для создания полных фотонных систем для портативных часов, квантовых технологий и сенсорных применений. В числе поддерживающих разработку организаций — DARPA и ВВС США.
© Алексей Бойко,
