Германиевый лазер может повысить быстродействие будущих процессоров

Германиевый лазер может повысить быстродействие будущих процессоров

Новости науки и техники Комментариев к записи Германиевый лазер может повысить быстродействие будущих процессоров нет

Сплав германия с оловом (GeSn) это полупроводник, с которым связывают большие надежды на интеграцию оптики в компьютерные чипы — в отличие от стандартного для них кремния GeSn может эффективно излучать свет.

В последние несколько лет многие разработчики будущих оптоэлектронных суперчипов экспериментируют с выращиванием этого полупроводника на кремниевых подложках. Такое усовершенствование может упростить создание полностью интегрированных компонентов кремниевой фотоники, включающих электронные схемы и лазеры и, благодаря этому, обеспечивающих улучшение быстродействия микропроцессоров с минимальными затратами.

Новейшим достижением в этой области поделились в статье для Applied Physics Letters участники межинститутского проекта, реализуемого на базе Арканзасского университета при поддержке ведущего производителя оборудования для полупроводниковой индустрии, ASM America.

An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K

This paper reports the demonstration of optically pumped GeSn edge-emitting lasers grown on Si substrates. The whole device structures were grown by an industry standard chemical vapor deposition reactor using the low cost commercially available precursors SnCl4 and GeH4 in a single run epitaxy process. Temperature-dependent characteristics of laser-output versus pumping-laser-input showed lasing operation up to 110 K. The 10 K lasing threshold and wavelength were measured as 68 kW/cm2 and 2476 nm, respectively. Lasing characteristic temperature (T0) was extracted as 65 K.

http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4966141

Они продемонстрировали лазер GeSn торцевого излучения с оптической накачкой. Порог лазера и длина волны излучения были измерены при 10 K и составляют 68 кВт/см2 и 2476 нм, соответственно.

«Мы снизили лазерный порог на 80% при рабочих температурах до 110 кельвин, — рассказывает профессор Арканзасского университета Фишер Ю (Shui-Qing «Fisher» Yu). — Это значительный прогресс если сравнивать с лучшими публиковавшимися раньше результатами, который свидетельствует о большом потенциале GeSn для лазеров, встраиваемых в чипы».

Экспериментальное устройство было целиком выращено в стандартном промышленном реакторе химическим осаждением из газовой фазы с использованием дешевых исходных компонентов (SnCl4 и GeH4) и разработанного в ASM одноэтапного эпитаксиального процесса.

Источник: http://www.nanonewsnet.ru/news/2017/germanievyi-lazer-mozhet-povysit-bystrodeistvie-budushchikh-protsessorov

Рекомендуем для Вас

Leave a comment

You must be logged in to post a comment.


© Интернет журнал "ЛАЗЕРНЫЙ МИР", 2019
Напишите нам:
laser.w@yandex.ru

Back to Top