Новосибирский институт разработает технологию для фотонных интегральных схем
Лазерные технологии, Лазеры в электронной отрасли 02.11.2023 Комментарии к записи Новосибирский институт разработает технологию для фотонных интегральных схем отключеныРоссийский научный фонд поддержал проект Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП, Новосибирск) по разработке производства полупроводников для фотоприемников в интегральных фотонных схемах, говорится в сообщении ИФП.
Проект «Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой» рассчитан на два года, финансирование составит 30 млн рублей ежегодно.
«Мы будем разрабатывать технологию создания германиевых слоев для фотоприемников, использующихся в фотонных интегральных схемах (ФИС), заказчик технологического предложения по этому проекту — АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (АО «ЗНТЦ»)», — приводятся в сообщении слова руководителя проекта — заведующего лабораторией ИФП Александра Никифорова.
Уточняется, что разработкой всей ФИС схемы займется АО «ЗНТЦ», лазер для ФИС будут делать в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург).
Отмечается, что на чипе ФИС объединены оптические и электронные компоненты, поэтому использование ФИС позволяет увеличить скорость обработки и передачи данных в несколько десятков или даже сотен раз.
ФИС широко применяются в телекоммуникациях, в трансиверах — приборах, необходимых для одновременной обработки и передачи светового сигнала, пришедшего по оптическому волокну.
«В ходе выполнения гранта мы сделаем опытные образцы фоточувствительного материала, отработаем технологию роста и передадим ее АО «ЗНТЦ», — уточняет Никифоров.
Предполагается, что трансиверы по новым технологиям планирует производить АО «ЗНТЦ».
Источник: https://academia.interfax.ru/ru/news/articles/11660
