Крошечная микросхема раскрыла скрытую мощь лазерной техники

Лазеры в науке Комментарии к записи Крошечная микросхема раскрыла скрытую мощь лазерной техники отключены

Исследователи из EPFL значительно улучшили полупроводниковые лазеры, что вызвало волну ажиотажа в фотонике и открыло двери для многих применений.

Команда под руководством профессора Камиля Бреса разработала лазерный источник в масштабе чипа, который не только повышает производительность полупроводникового лазера, но и генерирует более короткие волны, заполняя давний технологический пробел. Эта инновация имеет далеко идущие последствия для телекоммуникаций, метрологии и точных приложений.

Прорыв заключается в соединении существующих полупроводниковых лазеров с чипом из нитрида кремния, в результате чего получается гибридное устройство, излучающее очень равномерный и точный свет как в ближнем инфракрасном, так и в видимом диапазонах.

Благодаря улучшению когерентности и смещению лазерного излучения в сторону видимого спектра, новаторская работа EPFL может изменить отрасли, зависящие от лазерных технологий, проложив путь к созданию более компактных и эффективных устройств и даже повлияв на такие области, как биомедицинская визуализация и точный хронометраж.

Источник: https://www.ferra.ru/news/techlife/kroshechnaya-mikroskhema-raskryla-skrytuyu-mosh-lazernoi-tekhniki-10-12-2023.htm

Рекомендуем для Вас


© Интернет журнал "ЛАЗЕРНЫЙ МИР", 2019
Напишите нам:
laser.rf.mail@yandex.ru

Back to Top