Лазерный мир

А.А. Чистяков, С.В. Дайнеко, В.А. Олейников, М.В. Артемьев, А.В. Заседателев // Всероссийская конференция по фотонике и нформационной оптике Сборник научных трудов. 2012, с: 94-96, УДК 535(06)+004(06)

Обнаружен механизм очистки квантовых точек CdSe от поверхностно активных веществ (ПАВ) в поле мощного лазерного излучения (≈106Вт/см2). Было определено, что под действием мощного лазерного излучения в течении 20 минут нанокристаллы CdSe, находящиеся, в растворе начинают осаждаться. Варьируя время лазерного воздействия можно осаждать тонкие плѐнки заданной толщины.
В течение последних десяти лет большое внимание уделяется исследованиям по внедрению наночастиц в состав различных композитных материалов с целью создания новых оптоэлектронных устройств, таких, как светодиоды и фотовольтаические элементы. Было показано, что при введении нанокристаллов в матрицы различных материалов, наночастицы сохраняют большинство своих уникальных свойств, обусловленных, эффектом размерного квантования [1].
Нанокомпозитные структуры были созданы на основе органических полупроводников и наночастиц CdSe, как наиболее перспективных материалов в оптоэлектронике [2]. В ранних исследованиях было показано, что эффективность внедрения в матрицы различных полупроводников очищенных от ПАВ наночастиц выше, чем в случае наночастиц не прошедших процедуру очистки [3].
Традиционные методы химической очистки не позволяют управлять процессом. Предложенная же нами процедура фотостимулированной десорбции ПАВ позволяет сделать этот процесс полностью контролируемым. Контроль осуществляется с помощью наблюдения оптических свойств наночастиц в процессе очистки, а именно изменения спектров люминесценции (рис. 1).

Рис. 1. Спектры люминесценции наночастиц CdSe до и после воздействия мощного излучения в зависимости от времени воздействия Также имеет большой интерес применение квантовых точек в оптосенсорных приложениях. Используя механизм Фѐрстеровского переноса и экситон-плазмонные взаимодействия возможно построение оптических нано-биосенсоров. В этой связи актуальной является задача формирования плѐнок наночастиц. Мы предлагаем методику лазерного осаждения наночастиц в коллоидной среде. Воздействуя на полупроводниковые наночастицы покрытые ПАВ мощным лазерным излучением с плотностью мощности 106 Вт/см2 наблюдалась десорбция ПАВ и выпадение квантовых точек в осадок. Процесс осаждения
контролируется временем воздействия мощного излучения на раствор.
Таким образом, можно формировать плѐнки наночастиц заданной толщины. Эта технология может найти широкое применение в оптоэлектронике.

Полное содержание статьи: http://fioconf.mephi.ru/files/2014/07/FIO2012-Sbornik.pdf