Перспективные полупроводниковые лазеры и технологии

Лазеры в науке Комментарии к записи Перспективные полупроводниковые лазеры и технологии отключены

Бурное развитие применений полупроводниковых лазеров и лазерных систем на их основе в различных технологических областях в современном мире, связанное с их уникальными характеристиками (например, высоким КПД, малогабаритность и др.), обуславливает необходимость подготовки высококвалифицированных кадров.

История полупроводниковых лазеров началась с создания радио в 1895-1896 годах, именно тогда родилась идея создания детекторного приемника, а за пару лет до этого уже изобрели полупроводниковые диоды. Еще не было понятия «полупроводник», а также не был ясен принцип работы, хотя все прекрасно понимали, что все из-за контакта кристалла и металлической проволоки.
Квантовая механика еще только начинала формулироваться, но российский ученый Лосев в 1920х годах уже пытался рассматривать кристаллический детектор под микроскопом. Задача была в понимании, при каких условиях возникает свечение.
Следующим этапом была природа свечения. Своими экспериментами Лосев доказал, что дело не в температуре, и предположил квантовый эффект, хотя до открытия зонной теории было еще 10 лет. С природой разобрались, но что еще можно измерить у источника света? — Спектр!

Дальше было создание первого p-n перехода в 1940х, первого транзистора в 1948 году. Мы уже близки, ведь в 1954 году наступает новая эра в физике — создание генератора когерентного микроволнового излучения на аммиаке (МАЗЕР). Басов, Прохоров, Таунс удостоены Нобелевской премии. Все понимают, что за полупроводниками будет лазерная революция!

Александр Михайлович Прохоров — д.ф.-м.н., профессор, академик АН СССР, сотрудник ФИАН, ИОФ РАН.
 
Александр Михайлович Прохоров — д.ф.-м.н., профессор, академик АН СССР, сотрудник ФИАН, ИОФ РАН.

Пока что мы говорим о классических лазерах с энергетическими уровнями в атомах или ионах. Но в голову пионера лазерной физики Николая Басова вместе с Олегом Крохиным и Юрием Поповым из ФИАНа приходит идея использования валентной зоны и зоны проводимости полупроводника вместо атомов или ионов.

Николай Геннадиевич Басов — д.ф.-м.н., профессор, академик АН ССР, академик РАН, сотрудник ФИАН и МИФИ.
 
Николай Геннадиевич Басов — д.ф.-м.н., профессор, академик АН ССР, академик РАН, сотрудник ФИАН и МИФИ.

Наконец, в 1962 году Бассовым, Крохиным и Поповым был создан GaAs лазер в ФИАНе. Уникальный год для оптоэлектроники.

Олег Николаевич Крохин — д.ф.-м.н., профессор, академик РАН, сотрудник ФИАН.
 
Олег Николаевич Крохин — д.ф.-м.н., профессор, академик РАН, сотрудник ФИАН.

Мы разобрались с истоками названия образовательной программы. Крохин Олег Николаевич является руководителем данного перспективного направления. Таким образом, у вас есть уникальная возможность получить образование в перспективной области.

 
 

Рекомендуем для Вас


© Интернет журнал "ЛАЗЕРНЫЙ МИР", 2019
Напишите нам:
laser.rf.mail@yandex.ru

Back to Top